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              中芯國際FinFETN+1先進工藝關鍵突破:國產版「7nm制程」,不需要EUV光刻機
              瀏覽量:  添加時間:2020-10-14 11:47

              中國一站式 IP 和定制芯片企業芯動科技(INNOSILICON)昨天發布:已完成全球首個基于中芯國際 FinFET  N+1 先進工藝的芯片流片和測試,所有 IP 全自主國產,功能一次測試通過。
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              關于N+1工藝,中芯國際聯合CEO梁孟松今年初曾透露,該工藝在功率和穩定性方面與7nm工藝非常相似,且不需要EUV光刻機,但在性能方面提升還不夠,所以N+1工藝是面向低功耗應用領域的。其曾表示,中芯國際N+1工藝和14nm相比,性能提升20%,功耗降低57%,而7nm市場基準性能提升應該是35%。

              IT之家獲悉,《珠海特區報》10月11日報道了《“國產芯”突圍刻不容緩》文章,其中寫道:“芯動科技首個基于中芯國際先進工藝的芯片流片和測試成功,不僅意味著具有自主知識產權的‘國產芯’再次打破國外壟斷,同時也說明‘國產版’的7nm芯片制造技術已經得到突破?!?/p>

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